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AMPTEK硅漂移探測器FAST SDD
瀏覽次數(shù)：960 發(fā)布于：2023-05-02
Amptek將硅片制造引入內(nèi)部，并改進了工藝。其結果是探測器具有更低的噪聲、更低的泄漏電流、更好的電荷收集以及探測器之間的均勻性。這使其成為性能更好的硅漂移探測器。
FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移檢測器（SDD），能夠在保持分辨率的同時，計數(shù)率超過1000000 CPS（每秒計數(shù)）。深圳市華聯(lián)歐國際貿(mào)易有限公司工業(yè)自動化品牌產(chǎn)品種類眾多，我們可提供從獨立元件到全面集成的定制系統(tǒng)解決方案及工業(yè)備品備件選型服務，每種解決方案都可以為客戶帶來高效的靈活性和附加值。我們是工業(yè)自動化的全球合作伙伴;我們的目標是可持續(xù)發(fā)展。我們的專業(yè)是自動化;我們的使命是創(chuàng)新。我們的激情來自合作伙伴關系!誠信為首、正品采購、價格優(yōu)惠、品質(zhì)保障、體貼的服務為您提供安全、可靠、完善的售前、售后服務，不斷追求更加卓越的企業(yè)品質(zhì)，向?qū)I(yè)多元化的產(chǎn)品模式穩(wěn)步前進。下文華聯(lián)歐小編將為您詳細講解有關《優(yōu)勢供應AMPTEK硅漂移探測器FAST SDD》等內(nèi)容，歡迎您繼續(xù)閱讀，祝您生活愉快，謝謝~
Amptek將硅片制造引入內(nèi)部，并改進了工藝。其結果是探測器具有更低的噪聲、更低的泄漏電流、更好的電荷收集以及探測器之間的均勻性。這使其成為性能更好的硅漂移探測器。
FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移檢測器（SDD），能夠在保持分辨率的同時，計數(shù)率超過1000000 CPS（每秒計數(shù)）。FAST SDD還可與C系列（Si3N4）低能窗一起使用，用于軟x射線分析。
與傳統(tǒng)SDD不同，F(xiàn)AST SDD在密封的TO-8封裝內(nèi)使用結柵場效應晶體管（JFET）和外部前置放大器，在TO-8封裝內(nèi)部使用互補的金屬氧化物半導體（CMOS）前置放大器，并用金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）代替JFET。這降低了電容，提供了更低的串聯(lián)噪聲，并在極短的峰值時間內(nèi)提高了分辨率。FAST SDD使用相同的檢測器，但前置放大器在短峰值時間內(nèi)提供較低的噪聲。改進的（較低的）分辨率能夠隔離/分離具有接近能量值的熒光X射線，否則峰值將重疊，從而允許用戶更好地識別其樣品中的所有元素。峰值時間短也會提高計數(shù)率；更多的計數(shù)提供更好的統(tǒng)計數(shù)據(jù)。
性能特點
- 25 mm2的活動面積校準為17 mm2
- 也可提供70 mm2準直至50 mm2
- 9 keV時的122 eV FWHM分辨率
- 計數(shù)率>1000000 CPS
- 高峰值與背景比–26000/1
- 前置放大器輸出上升時間<35 ns
- 窗口：Be（5密耳）12.5µm，或C系列（Si3N4）
- 抗輻射
- 探測器厚度500µm
- TO-8包裝
- 冷卻ΔT>85 K
- 多層準直器
技術參數(shù)
檢測器類型：帶CMOS前置放大器的硅漂移檢測器（SDD）
探測器尺寸：25 mm2-校準至17 mm2
也可提供70mm2-準直至50mm2
硅厚度：500µm或1000um可用
準直器內(nèi)部：多層準直器（ML）
4µs峰值時間下5.9 keV（55Fe）：122-129 eV FWHM時的能量分辨率（保證）
峰值與背景：20000:1（計數(shù)比從5.9 keV到1 keV）（典型）
探測器窗口選項：鈹（Be）：0.5密耳（12.5µm）或0.3密耳（8µm）
C系列（Si3N4）低能耗窗戶
電荷敏感型前置放大器：CMOS
增益穩(wěn)定性：<20 ppm/°C（典型）
探測器模塊：TO-8封裝（0.640英寸高，包括銷，0.600英寸直徑）
XR100盒3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘米）
X-123箱3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘米）
原始設備制造商：配置各不相同
重量
探測器模塊：0.14箱（4.1克）
XR100盒：4.4盎司（125克）
X-123箱：6.3盎司（180克）
原始設備制造商：配置各不相同
總功率：<2瓦
設備壽命：通常為5至10年，具體取決于使用情況
操作條件：-35°C至+80°C
在干燥環(huán)境中長期儲存10年以上
典型儲存和運輸：-40°C至+85°C，濕度10至90%，不凝結
詳細參數(shù)
產(chǎn)品應用
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